Investigación

 

Dependencia con la presión del índice de refracción del AgGaS₂

 

Ch. Powerª, E. Calderónª, J. González^b*, J.C. Chervin^c

 

ª Centro de Estudios de Semiconductores, Facultad de Ciencias, Universidad de Los Andes, 5101 Merida. Venezuela.

^b *DCITIMAC – Malta Consolider Team, Universidad de Cantabria, Santander, España, e–mail: ch–power@hotmail.com.

^c Institut de Minéralogie et de Physique des Milieux Condensés, CNRS UMR 7590, Université Pierre et Marie Curie, 140 rue de Lourmel, F–75015 Paris, France.

 

Recibido el 8 de junio de 2010
Aceptado el 4 de noviembre de 2010

 

Resumen

En el presente trabajo estudiamos el comportamiento en presión del espectro de absorción (óptica de una muestra monocristalina de AgGaS₂, realizando medidas en el rango de energías del infrarrojo, desde 0.30 hasta 0.70 eV, para presiones P inferiores a 4 GPa y temperatura ambiente T, utilizando para ello una celda de yunques de diamantes en combinación con la técnica de micro–espectroscopia infrarroja [1]. Con este estudio determinamos la variación de su índice de refracción n en función de la presión, en el rango de estabilidad de la estructura calcopirita [2–6], así como la variación en presión de las constantes dielectricas estática (ε₀) y de alta frecuencia (ε_∞). Nuestros resultados del índice de refracción a presión y temperatura ambiente en el AgGaS₂ pueden compararse con los valores experimentales reportados por Boyd et al. [7].

Descriptores: Semiconductores I–III–VI₂; infrarrojo; altas presiones.

 

Abstract

In this work, we study the pressure behavior of the optical absorption spectrum of a single crystal AgGaS₂, taking measurements in the infrared energy range from 0.30 up to 0.70 eV for pressures values P below 4GPa and room temperature T, using a diamond anvil cell in combination with infrared micro spectroscopy technique [1]. With this study, we determine the refraction index n variations in terms of pressure within the stability range of the chalcopyrite structure [2–6] as well as the changes under pressure of both the static (ε₀) and high frequency (ε_∞) dielectric constants. These results can be compared with the experimental values reported by Boyd et al. [7].

Keywords: I–III–VI₂ semiconductor; infrared; high pressure.

 

PACS: 74.25.Gz; 74.62.Fj; 78.30.–j; 78.40.Fy

 

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Agradecimientos

Los autores de este proyecto queremos agradecer al CDCHT de la Universidad de Los Andes, Mérida Venezuela, por su soporte financiero, a través del proyecto C–1570–08–05–B.

 

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