Abstract

CONDE-GALLARDO, A. et al. Influence of the carrier gas in the growth kinetics of TiO2 films deposited by aerosol assisted chemical vapor deposition with titanium-diisopropoxide as precursor. Rev. mex. fis. [online]. 2006, vol.52, n.5, pp.459-463. ISSN 0035-001X.

Películas de dióxido de titanio fueron depositadas mediante la liberación de un aerosol líquido de diisopropoxido de titanio sobre substratos de silicio orientados (100), y empleando oxígeno y nitrógeno como gases de arrastre. Las propiedades cristalinas y morfológicas indican que el proceso de depósito se lleva a cabo mediante los vapores químicos de los precursores. Esto es fuertemente apoyado por el comportamiento de la taza de crecimiento r_g como función de la temperatura de depósito, cuya forma de línea indica que el crecimiento esta gobernado por la difusión de los precursores en fase vapor hacia el substrato y la consecuente reacción de estos en la superficie. Aunque la forma de línea de r_g no depende del tipo de gas utilizado en el arrastre del aerosol, el valor absoluto de r_g y la energía de activación E_Aque caracteriza a la reacción superficial si. Un ajuste a una ecuación que toma en cuenta a ambos mecanismos (difusión de vapores y reacción de superficie) da como resultado: E_A 26.4 kJ/mol o E_A = 21.4 kJ/mol cuando se utiliza oxígeno o nitrógeno como gas de arrastre, respectivamente.

Keywords : Mecanismos de crecimiento; películas de TiO2; depósito por vapores químicos; rocío porolitíco.