Abstract

LOMBARDI, R.M; ARAGON, R  and  CINSO- CONICET-CITEFA. Chemical sensitivity of Mo gate MOS capacitors. Rev. mex. fis. [online]. 2006, vol.52, suppl.2, pp.11-13. ISSN 0035-001X.

Capacitores MOS con compuertas de Mo exhiben un corrimiento negativo de la característica C-V, de 240mV a 125°C, en respuesta a 1000 ppm de hidrógeno, en atmósfera controlada de nitrógeno. Se resumen los métodos experimentales para obtener capacitancia y conductancia, como función de la tensión de polarización, así como los circuitos equivalentes relevantes. La densidad de estados de interface de nivel único, en la interface dieléctrico-semiconductor, decrece desde 2.66 10¹¹ cm^-2e-v^-1, en nitrógeno puro, hasta 2.5 10¹¹cm^-2 e-v^-1 en 1000 ppm de mezcla de hidrógeno en nitrógeno a esta temperatura.

Keywords : Dispositivos MOS; compuerta de Mo; sensibilidad a hidrógeno.