Abstract

HERNANDEZ FLORES, Edgar et al. Métodos de escarificación y germinación en Brachiaria brizantha cv. Insurgente. Rev. Mex. Cienc. Agríc [online]. 2016, vol.7, n.1, pp.173-184. ISSN 2007-0934.

Se evaluaron siete métodos de escarificación para mejorar la germinación de semilla de Brachiaria brizanta cv. Insurgente en dos lotes de semilla, cosechados manualmente en otoño (septiembre; lote 1) e invierno (diciembre; lote 2), del mismo año, en terrenos de la Universidad del Papaloapan, Loma Bonita, Oaxaca. Los tratamientos incluyeron: T1= control (espiguilla completa); T2= remoción de glumas, lemas y palea del cariópside, T3= inmersión de cariópsides en ácido giberélico (AG3), 300 ppm, por 5 minutos; T4= inmersión de cariópsides en AG3, 400 ppm, por 5 min; T5= inmersión de espiguillas en ácido sulfúrico (H2SO4) concentrado por 10 minutos; T6= inmersión de espiguilla en H2SO4 concentrado por 5 min + inmersión en AG3 a 300 ppm, 5 min y T7= inmersión de espiguillas en H2SO4 concentrado por 5 min + inmersión en AG3, 400 ppm, por 5 min. Se utilizó un diseño de completamente al azar, con cuatro repeticiones de 100 semillas por tratamiento. Las variables de respuesta incluyeron germinación (%) a cuatro, cinco y seis meses post-cosecha (lote 1) y dos, tres, cuatro, cinco y seis meses poscosecha (lote 2). Se encontraron diferencias entre tratamientos (p< 0. 01) para ambos lotes de semilla. La mayor germinación se obtuvo con en T4, T3 y T2. Todos los tratamientos de escarificación incrementaron el porcentaje de germinación de la semilla de pasto Insurgente respecto al control y los mejores incluyeron inmersión de la cariópside en solución de AG3 a 300 y 400 ppm, durante 5 min, así como remoción de estructuras que envuelven a la cariópside. Mientras no se desarrolle equipo de liberación de la cariópside, la aplicación de AG3 a concentraciones de 300 y 400 ppm, representa la mejor alternativa al uso de ácido sulfúrico.

Keywords : Brachiaria brizanta; dormancia; germinación; pasto insurgente; tratamientos de escarificación.