| Tabla de contenido Superf. vacío vol.24 no.1 Ciudad de México mar. 2011 Óxido de silicio SOG como dieléctrico de compuerta recocido a 200°C Domínguez-J., M. A.; Rosales-Q., P.; Torres-J., A.; Molina-R., J.; Moreno-M., M.; Zúñiga-I., C.; Calleja-A, W.; Coyotl-M., Felipe
| | Estudio del mecanismo de transporte en películas de silicio poroso Vásquez-A, M. A.; Romero-Paredes, G.; Peña-Sierra, R
| | Análisis por simulación molecular de las propiedades electrónicas de la hoja de SnC hexagonal Chigo Anota, Ernesto
| | Convertidor RF-CD para aplicaciones en etiquetas pasivas RFID Martínez-Castillo, J.; García-Ramirez, P. J.; García-González, L.; Herrera-May, L.; Sauceda-Carvajal, Á.; Castellanos-Mier, A.; Solís-Bustos, Sergio
| | Shifting to the red the absorption edge in TiO2 films: a photoacoustic study Gordillo-Delgado, F.; Villa-Gómez, K.; Marín, E
| | Electrorremediación de suelos arenosos contaminados por Pb, Cd y As provenientes de residuos mineros, utilizando agua y acido acético como electrolitos García Hernández, Laura; Vargas Ramírez, Marissa; Reyes Cruz, Víctor
| |
|