Resumen

PEYKOV, P.; CARRILLO, J.  y  ACEVES, M.. Influence of surface generation velocity and field-enhanced carrier generation on the measured generation lifetime and relaxation time constant in MOS structures. Rev. mex. fis. [online]. 2003, vol.49, n.2, pp.150-154. ISSN 0035-001X.

Los materiales semiconductores de alta calidad se caracterizan actualmente por tener tiempos de vida de generación en el intervalo de 10^-3- 10^-2 segundos. Este hecho demanda hacer una reconsideración de la influencia que ciertos factores pueden tener en la correcta obtención del tiempo de vida de generación, con las técnicas de medición que actualmente se emplean. Particularmente, la velocidad de generación de superficie y la generación de portadores acrecentada por campo influyen en el tiempo de vida de generación y la constante de tiempo de relajación en estructuras MOS. En este trabajo se presenta un análisis de esta influencia. Se muestra cómo una interpretación simple de los datos experimentales puede generar un error considerable en la determinación de estos parámetros. La influencia de todos los factores debe ser tomada en cuenta.

Palabras llave : Generación de portadores acrecentada por campo; velocidad de generación superficial; estructuras MOS.