Resumen

MISHURNYI, V.A.; GORBATCHEV, A. Yu.; DE ANDA, F.  y  NIETO-NAVARRO, J.. Influence of baking on the photoluminescence spectra of Ini_1-xGa_xAs_yPi_1-y solid solutions grown on Inp substrates. Rev. mex. fis. [online]. 2004, vol.50, n.3, pp.216-220. ISSN 0035-001X.

Se ha estudiado la influencia de diferentes tratamientos térmicos sobre los espectros de fotoluminiscencia de capas epitaxiales de In_1-xGa_xAs_yP_1-y con diferentes composiciones, crecidas sobre sustratos de InP, mediante la técnica de epitaxia en fase líquida. El espectro de fotoluminiscencia de soluciones sólidas de composición cercana al InP o InGaAs no cambió después del recocido. Para composiciones cercanas al centro de la región en que la constante reticular de las capas es igual a la del InP, el cambio fue muy notorio debido a la aparición de un pico adicional en el espectro de fotoluminiscencia. Esto podría relacionarse con la descomposición de aquellas soluciones sólidas cuya composición esta dentro de una brecha de miscibilidad predicha teóricamente. Para evitar la degradación de las capas epitaxiales, causada por la evaporación de fósforo durante el recocido, su superficie se recubrió con capas de SiO₂ depositado de una emulsión.

Palabras llave : InGaAsP; solución sólida; brecha de miscibilidad; descomposición y fotoluminiscencia.