Servicios Personalizados
Revista
Articulo
Indicadores
- Citado por SciELO
- Accesos
Links relacionados
- Similares en SciELO
Compartir
Revista mexicana de física
versión impresa ISSN 0035-001X
Resumen
DAVALOS-SANTANA, M.A.; SANDOVAL-IBARRA, F y MONTOYA-SUAREZ, E. A 540µT-1 silicon-based MAGFET. Rev. mex. fis. [online]. 2007, vol.53, n.3, pp.218-221. ISSN 0035-001X.
En este artículo se describe un transductor basado en un transistor MOS para medir campos magnéticos. Se presenta el arreglo experimental, la caracterización eléctrica/magnética, y un circuito equivalente para simulaciones a nivel transistor. El sensor (llamado también MAGFET) diseñado en un proceso CMOS, 1.5 µm, presenta a temperatura ambiente una sensibilidad magnética relativa Sr=540/µT-1.
Palabras llave : Dispositivos semiconductores; dispositivos de efecto de campo; microelectrónica.