Resumen

MEJIA HERNANDEZ, J.A et al. Ion beam analysis of CH/Si layers deposited by ECR-CVD. Rev. mex. fis. [online]. 2007, vol.53, suppl.3, pp.65-67. ISSN 0035-001X.

En este trabajo se estudia las características de las capas de CH depositadas en sustratos de Si por una fuente de plasma de micro ondas del tipo Resonancia Ciclotrónica Electrónica (ECR), usándose diferentes mezclas de H2/CH4. El contenido de hidrógeno y carbono, así como el espesor de las películas se determinó por la dispersión hacia delante de un haz de 12C3+ con una energía de 8.45 MeV, y el bajo contenido de oxígeno en las mismas se determinó usando un haz de deuterio de 1.040 MeV llevando a cabo un análisis de reacciones nucleares (NRA).

Palabras llave : Películas delgadas; métodos de análisis con haz de acelerador.

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