Resumen

ARENAS, MC.; HU, Hailin; DEL RIO, J. Antonio  y  SALINAS, Oscar H.. Photovoltage and J-V features of porous silicon. Rev. mex. fis. [online]. 2008, vol.54, n.5, pp.391-396. ISSN 0035-001X.

En este artículo presentamos un estudio sistemático acerca de la influenci que tienen las propiedades eléctricas, de estructura y ópticas del silicio poroso (PS) sobre las respuestas de foto-voltaje y J-V de los dispositivos preparados con este material. Dispositivos electrónicos son preparados formando una capa de PS (tipo p o tipo n, pPS y nPS respectivamente) sobre un substrato de silicio cristalino (tipo p o tipo n, pSi y nSi respectivamente). Dos metales diferentes son depositados como electrodos de contacto. Las respuestas eléctricas de densidad de corriente contra voltaje (J-V) y fotovoltaica son analizadas. Se encontró que la presencia de la capa pPS modifie significat vamente las respuestas eléctricas, mencionadas anteriormente, del material pSi. Esto significa que las propiedades optoelectrónicas del pSi son modificada por la presencia de la capa de pPS, lo cual puede ser entendido en términos del espectro de absorción óptica del PS. La película de nPS no modifica las propiedades optoelectrónicas del material nSi. Proponemos un diagrama de bandas de energía para explicar este comportamiento diferente de las capas de PS.

Palabras llave : Silicio poroso; foto voltaje; propiedades eléctricas.