Resumen

VAZQUEZ-VALERDI, D. E. et al. Propiedades ópticas, de composición y morfológicas de películas delgadas de SiO_x depositadas por HFCVD. Superf. vacío [online]. 2011, vol.24, n.2, pp.54-60. ISSN 1665-3521.

En el presente trabajo se estudian las propiedades morfológicas, de composición y ópticas de películas de óxido de silicio fuera de estequiometría (SiO_x) mediante Microscopía de Fuerza Atómica (AFM), Espectroscopia Infrarroja por Transformada de Fourier (FTIR), Fotoluminiscencia (FL), Transmitancia UV-Vis y Elipsometría nula. Dichas películas se obtuvieron mediante la técnica de depósito químico en fase vapor activado por un filamento caliente (HFCVD) en un rango de temperaturas de 750 a 1005 °C. Los espectros de FL de las películas de SiO_x depositadas sobre cuarzo a 813, 873 y 950 °C presentan corrimientos entre 650 nm y 712 nm, conforme la temperatura de substrato (T_s) se incrementa. De estos resultados se propone que la FL es originada por efectos de confinamiento cuántico en nanocristales de silicio (nc-Si) embebidos en la matriz del óxido de silicio, ya que estos nc-Si disminuyen su tamaño conforme se reduce la T_s y producen un corrimiento hacia mayores energías en los espectros de FL. Mediante el estudio de los espectros de transmitancia se obtuvo la brecha de energía prohibida (E_g) y, a través del modelo de masa efectiva de confinamiento cuántico, se determinó el tamaño promedio de nc-Si, el cual oscila entre 3.5 y 2.2 nm. También se observan efectos relacionados con defectos en el comportamiento de los espectros de FL de las películas depositadas sobre cuarzo y silicio.

Palabras llave : SiO_x; AFM; FTIR; PL; Si-nc.