Resumen

PULZARA-MORA, C.A. et al. Caracterización de capas de GaAs y GaAsMn depositadas por magnetron sputtering. Superf. vacío [online]. 2016, vol.29, n.3, pp.98-104.  Epub 30-Oct-2020. ISSN 1665-3521.

En este trabajo presentamos los resultados de crecimiento y caracterización de capas de GaAs y aleaciones semi-magnéticas de GaAsMn depositadas por magnetron sputtering sobre un substrato de silicio (100). Los patrones de difracción de rayos X de GaAs y GaAsMan indican que la capa de GaAs es policristalina y presenta una orientación preferencial a lo largo de la dirección (111), mientras que la capa de GaAsMn tiene una fase de GaAs (002) y una fase asociada a MnAs. Los espectros Raman de GaAs y GaAsMn evidencian modos vibracionales LO y TO asociados a GaAs y otros modos vibracionales asociados a defectos en la capa de GaAsMn. Los espectros de electrones de rayos X indican que la superficie de la capa GaAs contiene enlaces de 18.45 y 18.46 eV debidos a Ga3d y As3d, respectivamente. Las medidas SIMS en perfil de concentración vs profundidad sobre la capa de GaAsMn indican señales asociadas a los elementos Ga, As y Mn, siendo éste un buen indicativo de la formación de la aleación ternaria GaAsMn. La caracterización magnética demostró que la capa de GaAs tiene un comportamiento diamagnético a bajas y altas temperaturas, mientras que la capa de GaAsMn exhibe un comportamiento paramagnético desde 50 hasta 300 K. La curva de M vs. T presenta un comportamiento anómalo por debajo de 50 K, donde el aumento de la magnetización se debe a un incremento de la polarización de espines. Finalmente, se concluye que es posible obtener capas de GaAs y GaAsMn policristalinas con propiedades físicas interesantes utilizando una técnica de depósito no epitaxial.

Palabras llave : Semiconductores; Magnetron sputtering; Espectroscopia Raman.