| | Tabla de contenido
Superf. vacío vol.24 no.1 Ciudad de México mar. 2011 Óxido de silicio SOG como dieléctrico de compuerta recocido a 200°C
Domínguez-J., M. A.; Rosales-Q., P.; Torres-J., A.; Molina-R., J.; Moreno-M., M.; Zúñiga-I., C.; Calleja-A, W.; Coyotl-M., Felipe
| | | Estudio del mecanismo de transporte en películas de silicio poroso
Vásquez-A, M. A.; Romero-Paredes, G.; Peña-Sierra, R
| | | Análisis por simulación molecular de las propiedades electrónicas de la hoja de SnC hexagonal
Chigo Anota, Ernesto
| | | Convertidor RF-CD para aplicaciones en etiquetas pasivas RFID
Martínez-Castillo, J.; García-Ramirez, P. J.; García-González, L.; Herrera-May, L.; Sauceda-Carvajal, Á.; Castellanos-Mier, A.; Solís-Bustos, Sergio
| | | Shifting to the red the absorption edge in TiO2 films: a photoacoustic study
Gordillo-Delgado, F.; Villa-Gómez, K.; Marín, E
| | | Electrorremediación de suelos arenosos contaminados por Pb, Cd y As provenientes de residuos mineros, utilizando agua y acido acético como electrolitos
García Hernández, Laura; Vargas Ramírez, Marissa; Reyes Cruz, Víctor
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