Resumo

RODRIGUEZ-MEZA, M.A.  e  CARRILLO, J.L.. Thermalization process of a photo-generated plasma in semiconductors. Rev. mex. fis. [online]. 2002, vol.48, n.1, pp.52-60. ISSN 0035-001X.

Se estudia la cinética de los procesos ultrarrápidos que llevan a la condición de termalización de un plasma fotoexcitado en sistemas semiconductores. Analizamos la evolución temporal de una población generada por un pulso óptico finito, desde el comienzo del pulso hasta el tiempo en el que la población alcanza una condición de cuasi equilibrio. Calculamos los flujos de energía causados por los mecanismos principales de interacción a lo largo de las diferentes etapas por las que pasa el sistema. Hacemos nuestro análisis usando un conjunto no lineal de ecuaciones de razón de cambio que gobiernan la evolución temporal de la población de portadores en el espacio de energías. Consideramos los mecanismos principales de interacción, incluyendo el apantallamiento dinámico y los efectos de población de fonones.

Palavras-chave : Plasma fotoexcitado; termalización; procesos ultrarrápidos en semiconductores.

        · resumo em Inglês     · texto em Inglês     · Inglês ( pdf )