Resumo

OLGUIN, D.  e  BAQUERO, R.. Electronic band structure of (001)-semiconductor surfaces: the frontier-induced semi-infinite-medium states. Rev. mex. fis. [online]. 2003, vol.49, n.1, pp.1-5. ISSN 0035-001X.

En un trabajo previo hemos calculado la estructura electrónica de bandas de las superficies orientadas en la dirección (001) de compuestos semiconductores de la familia II-VI. De ese trabajo hemos hallado que, además de las bandas de volumen conocidas (bandas de huecos pesados, huecos ligeros y espín-órbita), existen en estos sistemas tres resonancias de superficie. Dos de estas resonancias están asociadas con una superficie terminada en anión, y la tercera resonancia se asocia con la terminación catión de la superficie. También, hemos hallado que existen tres estados electrónicos localizados en valores de energía que no presentan dispersión como función del vector de onda en estos sistemas bidimensionales. Para identificar estos estados hemos propuesto el nombre de estados de frontera inducidos por un medio semi-infinito. Con el interés de continuar el estudio de estos sistemas, en el presente trabajo hacemos una revisión del estado del arte de la estructura electrónica de bandas de las superficies semiconductoras orientadas en la dirección (001), y presentamos un estudio teórico detallado de los estados frontera inducidos por un medio semi-infinito. Para nuestro análisis utilizamos el método de enlace fuerte y el método empalme de la función de Green de superficie en el cálculo la estructura electrónica de bandas de la superficie.

Palavras-chave : Estados electrónicos; resonancias de superficie; método de enlace fuerte.