Resumo

BAUTISTA-HERNANDEZ, A.; PEREZ-ARRIETA, L.; PAL, U.  e  RIVAS-SILVA, J.F.. Estudio estructural de los semiconductores AlP, GaAs y AlAs con estructura wurzita. Rev. mex. fis. [online]. 2003, vol.49, n.1, pp.9-14. ISSN 0035-001X.

En este trabajo presentamos cálculos ab initio de la optimización de geometrías, parámetros de red y estructura electrónica para semiconductores con estructura wurzita, tales como AlN, CdS, ZnS, ZnSe, GaN, AlP, AlAs y GaAs. Para ello se usa el programa CASTEP de CERIUS con las aproximaciones LDA (Local Density Approximation) y GGA (Generalized Gradient Approximation), en el marco de la teoría de funcionales de la densidad (Density Functional Theory, DFT). Los pseudopotenciales usados en este trabajo son los generados con el esquema de optimización de Troullier-Martins. Una vez optimizados los parámetros de red, calculamos el patrón de rayos X para cada uno de los semiconductores estudiados. Se analiza el efecto de los pseudopotenciales usados en función de los resultados obtenidos. Finalmente, se predice la geometría y el patrón de rayos X para el AlP, AlAs y GaAs, con estructura wurzita, comprobándose el carácter semiconductor de estos materiales.

Palavras-chave : Cálculos ab initio; optimización de geometrías; patrón de rayos X; estructura de bandas.