Resumo

PRUTSKIJ, T. et al. Estudio de fotoluminiscencia de películas de InGaP crecidas sobre substratos de GaAs por el método de epitaxia de fase líquida. Rev. mex. fis. [online]. 2003, vol.49, n.3, pp.224-230. ISSN 0035-001X.

En el presente trabajo se estudian las propiedades luminiscentes de películas delgadas de InGaP crecidas por el método de epitaxia de la fase líquida (EFL) sobre substratos de GaAs. Las mediciones de fotoluminiscencia (FL) se realizaron en un amplio intervalo de temperaturas (4 - 250 K) y de intensidades de la radiación de excitación (4 órdenes de magnitud). Así mismo, la señal de FL ha sido analizada en dos direcciones perpendiculares de polarización las cuales coinciden con las direcciones [011] y [0Ī1] del plano del substrato. Se ha encontrado que el aporte principal al espectro a bajas temperaturas (4K) lo da la transición donador-aceptor, mientras que a altas temperaturas (250K) la transición banda-banda. Las dependencias con la intensidad de excitación muestran un comportamiento característico para la recombinación donador-aceptor. La diferencia en la posición del máximo de pico de FL para distintas polarizaciones se atribuye a la separación de las bandas de Valencia de huecos ligeros y pesados inducida por la deformación de la estructura cristalina de la película, cuya constante de red no se acopla reticularmente a la del substrato. Además la diferencia entre la forma de los espectros para distintas polarizaciones indica la presencia de anisotropía para distintas direcciones cristalinas.

Palavras-chave : Epitaxia de fase líquida; soluciones sólidas III-V; fotoluminiscencia.