Resumo

BECERRIL, M.; SILVA-LOPEZ, H.  e  ZELAYA-ANGEL, O.. Band gap energy in Zn-rich Zn_1-xCd_xTe thin films grown by r.f. sputtering. Rev. mex. fis. [online]. 2004, vol.50, n.6, pp.588-593. ISSN 0035-001X.

Películas semiconductoras de Zn_1-xCd_xTe fueron crecidas por la técnica de co-erosión catódica de radio frecuencia sobre substratos de vidrio Corning 7059 a temperatura ambiente a partir de un blanco de ZnTe-Cd. Pequeñas laminillas de Cd fueron colocadas sobre la superficie del blanco cubriendo un área del 0% - 4%. Las propiedades ópticas y estructurales de las películas fueron analizadas en función de la concentración de Cd (x). El patrón de difracción de rayos-X nos indica preferentemente la fase cúbica del ZnTe. Cuando el cadmio es incorporado dentro de la red del ZnTe, la brecha de energía (E_g) decrece desde 2.2748 eV (x = 0) hasta 2.2226 eV (x = 0.081). A partir de los datos obtenidos se encuentra una relación lineal E_g vs (x) en el intervalo de (x) estudiado, el cual predice un parámetro de curvatura b en la relación E_g(x) = E_g0 + ax + bx², que coincide con el valor de b calculado para el mismo estudio en las películas de Zn_1-xCd_xTe. Este resultado es interesante dado el gran número de valores reportados para b y a de E_g para este material ternario.

Palavras-chave : Semiconductores II-VI; películas delgadas; ZnCdTe; erosión catódica.