Resumo

YU, Z; ACEVES, M  e  CARRILLO, J. Optical sensitivity of Al/SRO/Si MOS diodes. Rev. mex. fis. [online]. 2006, vol.52, suppl.2, pp.54-56. ISSN 0035-001X.

En este trabajo, estudiamos las características I-V de una estructura Al/SRO/Si tipo MOS bajo iluminación. Se observó una gran fotocorriente aunque la estructura tiene Al que opaca por ambas superficies. Los posibles mecanismos que producen la fotocorriente fueron estudiados. Creemos que los foto-portadores generados en una región que rodea a la región de agotamiento dominan la fotocorriente. Los portadores generados en esta región difunden hacia la región de agotamiento y contribuyen a la gran fotocorriente.

Palavras-chave : Óxido de silicio rico en silicio; estructuras tipo MOS; foto-sensibilidad; sensores ópticos.