Resumo

ALBERTIN, K.F  e  PEREYRA, I. One step a-Si: H TFT'S with PECVD SiO_xN_y gate insulator. Rev. mex. fis. [online]. 2006, vol.52, suppl.2, pp.83-85. ISSN 0035-001X.

Son fabricados con apenas una etapa de fotolitografía transistores de capa fina de silicio amorfo utilizando, como material dieléctrico de compuerta, dióxido de silicio (SIO₂), oxinitruro de silicio (SiO_xN_y) y nitruro de silicio (Si₃N₄) crecidos por PECVD. Los dispositivos son caracterizados por medio de mediciones de corriente de dreno vs voltaje de dreno y corriente de dreno vs voltaje de compuerta (I_ds vs. V_ds y I_ds vs. V_gs)

Palavras-chave : fotolitográfica; oxinitruro de silicio; transistores de capa fina.

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