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Revista mexicana de física
versão impressa ISSN 0035-001X
Resumo
FLORES-MENA, J. E.; DIAZ-REYES, J. e BALDERAS-LOPEZ, J. A.. Structural properties of WO3 dependent of the annealing temperature deposited by hot-filament metal oxide deposition. Rev. mex. fis. [online]. 2012, vol.58, n.6, pp.504-509. ISSN 0035-001X.
Este trabajo presenta un estudio del efecto de la temperatura de recocido sobre las propiedades (ópticas y estructurales de WO3 que ha sido crecido por deposición de óxido de metálico por filamento-caliente (HFMOD). La estequiometria química fue determinada por espectroscopia de fotoelectrones de rayos X (XPS). Por difracción de rayos X se obtuvo que las películas depositadas de WO3 presentan principalmente fase cristalina monoclínica. La energía de la banda prohibida óptica del WO3 puede ser variada desde 2.92 a 3.15 eV obtenidas por mediciones de transmitancia recociendo WO3 desde de 100 a 500°C. El espectro Raman de la película depositada de WO3 muestra cuatro picos intensos que son los picos típicos Raman de WO3 cristalina (fase m) que corresponden a los modos de las vibraciones de estiramientos del puente de oxígeno que están asignados a estiramiento W-O (v) y (δ) plegados de W-O, respectivamente, los cuales se magnifican e incrementa su intensidad con la temperatura de recocido.
Palavras-chave : Semiconductores electrocromicos; WO3; propiedades físicas.