Resumo

HERNANDEZ-COCOLETZI, H.; CONTRERAS-SOLORIO, D. A.; MADRIGAL-MELCHOR, J.  e  ARRIAGA, J.. Transición electrónica fundamental en pozos cuánticos GaN/InGaN/GaN con estructura de zincblenda. Superf. vacío [online]. 2006, vol.19, n.3, pp.12-15. ISSN 1665-3521.

En este trabajo calculamos la energía de transición entre el primer nivel de huecos y el primer nivel de electrones (1h-1e) en pozos cuánticos de GaN/In_xGa_1-xN/GaN con estructura cúbica. Los cálculos los realizamos mediante la aproximación empírica de amarre fuerte (tight binding) con una base de orbitales atómicos sp³s*, interacción a primeros vecinos e incorporando el acoplamiento espín-órbita, en conjunto con el método de empalme de las funciones de Green de superficie. Los parámetros de amarre fuerte de la aleación los obtuvimos a partir de los parámetros de los compuestos binarios GaN e InN, utilizando la aproximación del cristal virtual. Analizamos el comportamiento de la energía de transición como función del ancho del pozo para x=0.1 y x=0.2, usando varios valores del band offset. La tensión en el pozo la tomamos en cuenta escalando los parámetros de amarre fuerte considerando dos conjuntos de valores para la ley de escalamiento.

Palavras-chave : Pozos cuánticos; Estados electrónicos; Aleaciones.