Resumo

PACIO, M. et al. Estudio y modelado de la interfase Si-SiO₂, usando estructuras MOS. Superf. vacío [online]. 2009, vol.22, n.4, pp.10-14. ISSN 1665-3521.

A partir de la teoría de los procesos de generación y recombinación de Shockley-Read-Hall se presenta un modelo de la generación de portadores minoritarios en la interfase silicio-dióxido de silicio (Si-SiO₂) de estructuras metal-óxido-semiconductor (MOS). Se obtuvieron las curvas experimentales de generación de las estructuras MOS con óxidos depositados por el método de depósito químico en fase de vapor a presión atmosférica (APCVD). Se muestra que estas curvas pueden presentar un incremento no lineal en la razón de generación, donde este incremento depende de las condiciones iniciales de polarización y cuya naturaleza se debe a la componente de generación superficial. Partiendo del modelo propuesto y de las curvas experimentales de generación, se calcularon los parámetros que caracterizan las trampas en la interfase, como lo son, la densidad de trampas, el coeficiente de emisión y la energía de activación.

Palavras-chave : Interfase Si-SiO₂; Etructura MOS; Sistema APCVD; Shockley-Read-Hall; Curvas Zerbst.

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