Resumo

DOMINGUEZ-J., M. A. et al. Óxido de silicio SOG como dieléctrico de compuerta recocido a 200°C. Superf. vacío [online]. 2011, vol.24, n.1, pp.1-4. ISSN 1665-3521.

En este trabajo, se ha realizado la caracterización del oxido de silicio SOG (SOG-SiO₂) depositado por la técnica sol-gel y recocido a 200 °C. Los resultados de la caracterización óptica y eléctrica muestran que los valores del índice de refracción (n) y de la constante dieléctrica (k) son muy cercanos a aquellos valores comúnmente reportados para el SiO₂ crecido térmicamente. Nuestros resultados sugieren que el SOG-SiO₂ recocido a 200 °C puede ser una alternativa para mejorar las características eléctricas de los transistores de película delgada (TFTs), entre otros dispositivos que son fabricados a bajas temperaturas.

Palavras-chave : SOG-SIO2; Dieléctico de compuerta; Transistores de película delgada; Porcesos a baja temperatura.