Resumo

VASQUEZ-A, M. A.; ROMERO-PAREDES, G.  e  PENA-SIERRA, R. Estudio del mecanismo de transporte en películas de silicio poroso. Superf. vacío [online]. 2011, vol.24, n.1, pp.5-8. ISSN 1665-3521.

Se identificaron los mecanismos de transporte en películas-de-silicio-poroso (PSiP) por mediciones de Corriente-Voltaje. Las PSiP se hicieron por anodización de obleas de silicio cristalino tipo p, con orientación (100) y resistividad de 1-5 Ωcm. La resistividad eléctrica medida en las PSiP fue de 4.48 x 10⁹ Ω-cm. El transporte de carga en la PSiP está limitado por regiones de carga espacial (SCL), debido a la carga atrapada en los diversos estados de defecto. Se encontró que de acuerdo al modo de polarización y a la magnitud del potencial aplicado a la estructura planar, se induce la participación de centros de defecto profundos ocasionando que la densidad de trampas N_t, cambie.

Palavras-chave : Películas de silicio poroso (PSiP); Características eléctricas; Mecanismo de transporte SCL.