Resumo

CHIGO ANOTA, Ernesto. Análisis por simulación molecular de las propiedades electrónicas de la hoja de SnC hexagonal. Superf. vacío [online]. 2011, vol.24, n.1, pp.9-13. ISSN 1665-3521.

A través de cálculos de primeros principios basados en la Teoría del Funcional de la Densidad (DFT) a nivel LDA (PWC) se investiga las propiedades electrónicas de la hoja de carburo de estaño (SnC) no dopada y dopada con nitrógeno. Además, se analizó el efecto de las vacancias de estaño y carbono sobre las propiedades electrónicas de este material. Se encontró que la geometría óptima de la hoja de SnC es plana, solo para el caso del modelo no dopado. Además, los cálculos realizados muestran una transición semiconductor (Sn₁₂C₁₂H₁₂)-conductor (Sn₁₂C₁₁NH₁₂)-semimetal (para los demás casos) debido a la incorporación de N en la hoja de, obteniéndose valores de brecha prohibida de 2.07 eV para el modelo no dopado hasta 0.14 eV para cuando existe una vacancia de Ge. Con esto también un fuerte incremento en la polaridad de la hoja se presenta cuando un defecto N_C es introducido en la estructura, pasando de iónico a covalente.

Palavras-chave : Carburo de estaño; Teoría DFT.