Resumo

AMBRIZ-VARGAS, F. et al. Point-Defect Chemistry on the Polarization Behavior of Niobium Doped Bismuth Titanate. J. Mex. Chem. Soc [online]. 2017, vol.61, n.4, pp.317-325. ISSN 1870-249X.

En el presente trabajo se estudia la química de defectos del Bi4Ti3O12 a temperatura ambiente, haciendo énfasis en el efecto de los defectos puntuales sobre las propiedades ferroelectricas. Mediciones de conductividad eléctrica, permitividad dieléctrica, perdida dieléctrica, caracterización estructural y resonancia de spin electrónico fueron utilizadas para demostrar la existencia de diferentes defectos puntuales. Titanato de Bismuto puro y dopado con niobio fueron sintetizados a partir del método convencional “Reacción del estado sólido”. El análisis de refinamiento de Rietveld reveló la formación de vacancias de bismuto al igual que la formación de átomos de niobio en los sitios atómicos del titanio, mientras que las mediciones de resonancia de spin electrónico revelaron señales asociadas a impurezas de hierro. El presente comunicado soporta mecanismos de compensación dominados por la presencia de electrones libres y vacancias de bismuto.

Palavras-chave : Cerámicos; Propiedades dieléctricas, Defectos puntuales; Propiedades eléctricas.