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Revista mexicana de física
versão impressa ISSN 0035-001X
Resumo
CONDE-GALLARDO, A. et al. Influence of the carrier gas in the growth kinetics of TiO2 films deposited by aerosol assisted chemical vapor deposition with titanium-diisopropoxide as precursor. Rev. mex. fis. [online]. 2006, vol.52, n.5, pp.459-463. ISSN 0035-001X.
Películas de dióxido de titanio fueron depositadas mediante la liberación de un aerosol líquido de diisopropoxido de titanio sobre substratos de silicio orientados (100), y empleando oxígeno y nitrógeno como gases de arrastre. Las propiedades cristalinas y morfológicas indican que el proceso de depósito se lleva a cabo mediante los vapores químicos de los precursores. Esto es fuertemente apoyado por el comportamiento de la taza de crecimiento rg como función de la temperatura de depósito, cuya forma de línea indica que el crecimiento esta gobernado por la difusión de los precursores en fase vapor hacia el substrato y la consecuente reacción de estos en la superficie. Aunque la forma de línea de rg no depende del tipo de gas utilizado en el arrastre del aerosol, el valor absoluto de rg y la energía de activación EAque caracteriza a la reacción superficial si. Un ajuste a una ecuación que toma en cuenta a ambos mecanismos (difusión de vapores y reacción de superficie) da como resultado: EA 26.4 kJ/mol o EA = 21.4 kJ/mol cuando se utiliza oxígeno o nitrógeno como gas de arrastre, respectivamente.
Palavras-chave : Mecanismos de crecimiento; películas de TiO2; depósito por vapores químicos; rocío porolitíco.