Resumo

COYOTECATL, H.A. et al. Bulk anisotropic excitons in type-II semiconductors built with 1D and 2D low-dimensional structures. Rev. mex. fis. [online]. 2005, vol.51, n.4, pp.387-390. ISSN 0035-001X.

Utilizamos un método variacional para tomar en cuenta la diferencia entre las masas efectivas del electrón y del hueco en excitones Wannier-Mott en heteroestructuras semiconductoras tipo II en las que el electrón está constreñido en un alambre cuántico unidimensional (AC1D) y el hueco en un pozo cuántico bidimensional (PC2D) perpendicular al alambre o viceversa. La ecuación de Schrödinger resultante es similar a la de un excitón en el bulto en 3D porque el número de variables libres (no confinadas) es tres; dos que provienen del PC2D y una del AC1D. En este sistema interacción efectiva electrón-hueco depende de los potenciales de confinamiento.

Palavras-chave : Energía del estado base de excitones apantallados; estructuras de baja dimensionalidad; semiconductores.

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