Resumo

GONZALEZ DE LA CRUZ, G.  e  GUREVICH, Yu G.. Carrier heating effects on transport phenomena in intrinsic semiconductor thin films. Rev. mex. fis. [online]. 2010, vol.56, n.3, pp.211-216. ISSN 0035-001X.

Exceso de portadores fuera de equilibrio debido campos eléctricos afecta considerablemente el proceso de difusión de calor electrónico y la densidad de corriente en películas delgadas semiconductoras. En la aproximación de equilibrio térmico entre fonones y huecos la densidad de corriente de electrones y huecos y el flujo de calor asociado al sistema electrónico en películas delgadas semiconductoras son calculados analíticamente considerando la temperatura propia del sistema electrónico fuera de equilibrio. Las propiedades de transporte de los portadores cargados fuera de equilibrio en semiconductores son calculados usando la ecuación de continuidad para electrones y huecos y la ecuación de balance de energía con condiciones a la frontera en la superficie de la muestra. Dentro de estas aproximaciones se demuestra que la densidad de corriente y el flujo de energía asociado al sistema electrónico dependen fuertemente de las dimensiones de la muestra.

Palavras-chave : Portadores cargados fuera de equilibrio; difusión de calor de electrones; temperatura de electrones.