Materia Condensada

 

Transición de Spin–Flop inducida por un campo magnético pulsado en el compuesto MnGa₂Se₄

 

R. Cadenasª, M. Quintero^b, R. Tovar^b, E. Quintero^b, M. Morocoima^b, J. González^b, J.M. Broto^c, H. Rakoto^c, J.C. Woolley^d, and G. Lamarche^d

 

ª Departamento de Física, Facultad de Ciencias, La Universidad del Zulia, Maracaibo, Venezuela

^b Centro de Estudio de Semiconductores, Departamento de Física, Facultad de Ciencias, Universidad de los Andes, Mérida, Venezuela

^c Université Toulouse III, LNCMP 143, Av. de Rangueil, 31432 Toulouse CEDEX, Francia.

^d Ottawa–Carlenton Institute of Physics, University of Ottawa, Canada, KIN 6N5

 

* Autor para correspondencia:
R. Cadenas,
Depto. de Física, Facultad de Ciencias,
La Universidad del Zulia,
Aptdo. 526 Maracaibo, Venezuela.
e–mail: rcadenas@luz.ve

 

Recibido el 24 de noviembre de 2003
Aceptado el 31 de mayo de 2004

 

Resumen

Se efectuaron medidas de susceptibilidad magnética en función de la temperatura (x vs. T) y medidas de imantación en función del campo magnético (M vs. B) en una muestra policristalina de MnGa₂Se₄. Los resultados indican que el MnGa₂Se₄ es un material antiferromagnético con temperatura de Néel T_N=8,2 K. Para T< T_N y B2 Tesla se produce una transición de la fase antiferromagnética (AF) a la fase de spin–flop (SF) caracterizada por una disposición perpendicular de los espines respecto del campo aplicado.

Descriptores: Transiciones magnéticas; antiferromagnetos; semiconductores magnéticos.

 

Abstract

Measurements of static magnetic susceptibility as a function of temperature (x vs. T) and magnetization as a function of the magnetic field (M vs. B) have been made on a polycrystalline sample of MnGa₂Se₄. The obtained results show that the MnGa₂Se₄ is an antiferromagnetic material (AFM) with Néel temperature T_N=8.2 K. For T<T_N and B2 Tesla a transition occurs from the antiferromagnetic (AF) phase to the spin–flop(SF) phase where the spins are perpendicular to the field.

Keywords: Magnetic transitions; antiferromagnetics; magnetic semiconductors.

 

PACS: 75.30Kz; 75.50Ee; 75.50Pp

 

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Agradecimientos

Los autores agradecen al FONACIT (Proyecto F–2005000214, Venezuela) y el CDCHT–ULA (Proyecto C–1255–04–05–AA) por el financiamiento parcial otorgado para este trabajo.

 

References

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