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Superficies y vacío
versión impresa ISSN 1665-3521
Superf. vacío vol.18 no.3 Ciudad de México sep. 2005
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Estudio de las películas de paladio como barreras de difusión para contactos ohmicos en semiconductores III-V
* CINVESTAV-IPN, Depto. de Ing. Eléctrica, SEES, Apdo. Postal 14-740, México, D. F. 07000. México
** CIBA-IPN, San Juan Molino Km 1.5 de la Carretera Estatal Sta. Inés Tecuexcomac-Tepetitla, Tepetitla, Tlaxcala. 90700 México.
Se reporta el desarrollo de una metodología para formar contactos ohmicos en GaSb y GaAs con barrera de difusión de paladio. Se presentan resultados del estudio de las superficies semiconductoras durante la fase de limpieza, y previo al depósito de las aleaciones metálicas de contacto. Se describe la metodología para depositar películas de Pd sobre GaSb y GaAs. Se demuestra la acción de las películas de paladio como barrera de difusión por los resultados del análisis de composición química por espectroscopia de iones secundarios (SIMS) en la estructura semiconductor/paladio/aleación-metálica.
Palabras Clave: SIMS; AFM; Contactos ohmicos; Paladio; Barreras de difusión; Semiconductores III-V; GaAs; GaSb
A method for the formation of ohmic contacts on GaSb and GaAs with a palladium diffusion barrier is reported. The results on the analysis of the semiconductor surfaces after the cleaning process and previous to the metallic film contact deposition are included. The method for the palladium film deposition on GaSb and GaAs semiconductors is reported. The capability of the palladium films as a diffusion barrier is demonstrated by the results of SIMS analysis realized by on the semiconductor/palladium-film/metallic-alloy structures.
Keywords: SIMS; AFM; Ohmics contacts, Paladium, Diffusion barrier; Semiconductors III-V; GaAs; GaSb
Agradecimientos
Los autores reconocen la amplia colaboración y auxilio técnico del M. C. Rogelio Fragoso, la Srita. Enriqueta Aguilar y el Sr. Benito Nepomuceno.
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Recibido: 19 de Mayo de 2005; Aprobado: 19 de Agosto de 2005
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