Resumen

DIAGO-CISNEROS, L.  y  ARIAS-LASO, S.. Simultaneous hole scattering in a biased simple barrier. Nova scientia [online]. 2013, vol.5, n.10, pp.01-16. ISSN 2007-0705.

Se desarrolla un estudio teórico de la propagación de flujos de huecos (pesados/ligeros) a través de una heteroestructura de barrera simple de materiales semiconductores III-V, considerando una perturbación externa. En los cálculos, usando la Aproximación Dispersiva Multicomponente, se incluyó la interacción con un campo eléctrico externo paralelo a la dirección de propagación -perpendicular a las intercaras - y se estudiaron las magnitudes relevantes del transporte cuántico de huecos - transmisión, conductancia y tiempo de fase. Este formalismo nos permitió considerar simultáneamente todos los canales propagantes. Para el sistema de la barrera simple, se estudió la dependencia de la conductancia con el campo aplicado a través de los diferentes canales de huecos. Igualmente, se analizó cómo el aumento del in-plane momentum κ_τ afecta los resultados, lo cual nos brinda una idea de cómo el acoplamiento entre bandas influencia la transmisión con un voltaje aplicado. Adicionalmente, fijando diferentes valores de la mezcla interbanda, se hizo un breve estudio del tiempo de transmisión de la fase como función del voltaje aplicado en la heteroestructura. Nuestros resultados fueron exitosamente comparados con algunos comportamientos obtenidos previamente en el tunelaje de huecos a través de heteroestructuras semiconductoras usando diferentes aproximaciones.

Palabras llave : Dispersión; Tunelaje de huecos; Aproximación Dispersiva Multicomponente.

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